【应用】micro led：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会

    micro led：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，microled成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。

作为全球硅衬底gan基led技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了micro led。

micro led芯片路线的选择，必须要考虑到成本、良率、以及和转移/键合工艺的兼容。外延片尺寸越大，不但可以降低芯片成本，提高外延面积利用率，而且更容易兼容ic工艺以提升micro led生产效率和良率。

晶能光电副总裁付羿表示，目前只有硅衬底gan基led实现了8英寸量产，并且在单片mocvd腔体中取得了8英寸外延片内波长离散度小于1nm的优异均匀性，这对于micro led来说至关重要。商用的12英寸及以上的硅圆晶已经完全成熟，随着高均匀度mocvd外延大腔体的推出，硅衬底led外延升级到更大圆晶尺寸不存在本质困难。

付羿介绍到，硅衬底gan 基led采用化学湿法去除衬底工艺以获取led薄膜芯片，这种湿法剥离避免了对led外延层的损伤，对保证微小电流驱动的micro led的光效和良率非常关键。

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