【应用】micro led：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会

    micro led：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会

microled：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，microled成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。

晶能光电副总裁付羿表示，目前只有硅衬底gan基led实现了8英寸量产，并且在单片mocvd腔体中取得了8英寸外延片内波长离散度小于1nm的优异均匀性，这对于microled来说至关重要。

付羿介绍到，硅衬底gan基led采用化学湿法去除衬底工艺以获取led薄膜芯片，这种湿法剥离避免了对led外延层的损伤，对保证微小电流驱动的microled的光效和良率非常关键。

对于晶能光电加入microled的研究阵营，易美芯光cto刘国旭博士评论道：“硅衬底gan基技术的特性是制造microled芯片的天然选择，晶能光电在硅衬底gan基led领域积累了十余年的技术和量产经验，如能转移至microled，microled的应用将会向前迈一大步。

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